Home
For authors
Editor's Page
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-88
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 73 | ISSUE 9 | PAGE 536
Сегрегация бора, имплантированного в кремний, на угловых конфигурациях границы окисления кремний/двуокись кремния
Г. А. Тарнавский, С. И. Шпак, М. С. Обрехт+ 1)
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
+Siborg System Inc., University of Waterloo, N2L3G1 Ontario, Canada

PACS: 02.70.-c, 66.30.Jt, 68.10.Gw
Abstract
На основе компьютерного моделирования физико-химического процесса сегрегации легирующих примесей, имплантированных в базовый материал (кремний), изучаются особенности инжекции бора B на 4 типах угловых конфигурациях границы окисления «кремний/двуокись кремния» (прямой и обратный уступы, каверны типа «траншея» и «квадрат»), получены и проанализированы в главных чертах сложные картины распределения концентраций B в областях Si, SiO2 и фронте SiO2/Si.


Download PS file (GZipped, 255.6K)  |  Download PDF file (495.8K)