| Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения |
С. Г. Гасан-заде, С. В. Старый, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский, В. А. Бойко
Институт физики полупроводников НАН Украины, 01650 Киев, Украина
|
PACS: 73.61.Ey, 78.66.-w
|
Abstract
В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной создание
упруго-наряженного состояния позволяет существенно ослабить междузонную
ударную рекомбинацию за счет трансформации валентной зоны. В результате резко
повышается квантовый выход инфракрасного излучения в области междузонных
переходов. Экспериментальные результаты получены на кристаллах InSb.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 118.6K)
|
Download PDF file (272.5K)
|
|
Home
