JETP Letters: issues online

Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР
П. Г. Баранов, И. В. Ильин, Е. Н. Мохов, М. В. Музафарова, С. Б. Орлинский^, Я. Шмидт^2) Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия ^*Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University, Leiden, The Netherlands
PACS: 61.72.Ji, 61.72.Bb, 76.30.-v
Abstract Показано, что собственные дефекты, ответственные за полуизолирующие свойства SiC, представляют собой дивакансии Si-C в нейтральном состоянии ( $V_{\rm Si}{-}V_{\rm C})^0$ , имеющие триплетное основное состояние. Установлена схема энергетических уровней и механизм создания фотоиндуцированной инверсной населенности триплетных подуровней основного состояния дивакансии, и сделан вывод о наличии синглетного возбужденного уровня, через который и осуществляется спиновая поляризация, что открывает возможность регистрации магнитного резонанса на одиночных дивакансиях.

Download PS file (GZipped, 273.6K) \| Download PDF file (336.3K)

Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.