|
|
| VOLUME 82 | ISSUE 7 |
PAGE 509
|
| Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN |
В. К. Калевич, Е. Л. Ивченко, М. М. Афанасьев, А. Ю. Ширяев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, Б. Пал+, Я. Масумото+
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
+Institute of Physics, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8571, Japan
|
PACS: 71.20.Nr, 72.25.Fe, 78.55.Cr
|
Abstract
При комнатной температуре обнаружена спин-зависимая
рекомбинация (СЗР) в твердых растворах GaAs1-xNx (x =
2.1, 2.7, 3.4%), проявляющаяся в более чем трехкратном уменьшении
интенсивности краевой фотолюминесценции (ФЛ) при изменении
круговой поляризации возбуждающего света на линейную или включении
поперечного магнитного поля  300 гаусс. Межзонное поглощение
циркулярно поляризованного света сопровождается поляризацией
спинов электронов проводимости, которая достигает 35% с ростом
накачки. Наблюдающиеся эффекты объяснены динамической поляризацией
глубоких парамагнитных центров и спин-зависимым захватом
электронов проводимости на эти центры. Из зависимости
деполяризации краевой ФЛ в перпендикулярном магнитном поле (эффект
Ханле) от интенсивности накачки найдено, что время спиновой
релаксации электронов порядка 1 нс. Теоретически показано, что при
наличии СЗР это время определяется медленной спиновой релаксацией
локализованных электронов. Положительный знак g-фактора
локализованных электронов экспериментально определен по
направлению вращения их среднего спина в магнитном поле во всех
трех исследованных кристаллах.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 178.5K)
|
Download PDF file (283.3K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home