Home For authors Submission status Current Archive (English) Archive    Volumes 61-80    Volumes 41-60    Volumes 21-40    Volumes 1-20    Volumes 81-88       Volume 88       Volume 87       Volume 86       Volume 85       Volume 84       Volume 83       Volume 82       Volume 81 Search

VOLUME 82 | ISSUE 10 | PAGE 734 Термоактивационная отрицательная фотопроводимость ниже 6 К в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As; влияние одноосного сжатия Н. Я. Минина, А. А. Ильевский, В. Краак* Кафедра физики низких температур, физический факультет, МГУ им. М. В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия *Институт физики, Университет им. Гумбольдта, D-1055 Берлин, Германия PACS: 73.40.Hb Abstract В гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As:Be обнаружена термоактивационная отрицательная фотопроводимость, которая возникает при облучении красным светом, существует ниже 6 К и сопровождается сильным падением концентрации и подвижности 2D дырок в квантовой яме с понижением температуры, особенно в условиях одноосного сжатия. Показано, что это явление хорошо количественно описывается существованием на расстоянии около 7 нм от гетерограницы слоя глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера мэВ, который не меняется с деформацией. Предполагается, что такими ловушками могут быть диффундирующие из активного слоя атомы акцепторной примеси Be, находящиеся в межузельном пространстве. Download PS file (GZipped, 272K)  |  Download PDF file (369K) Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь. List of articles citing this article can be found here.