Home For authors Submission status Current Archive (English) Archive    Volumes 61-80    Volumes 41-60    Volumes 21-40    Volumes 1-20    Volumes 81-88       Volume 88       Volume 87       Volume 86       Volume 85       Volume 84       Volume 83       Volume 82       Volume 81 Search

VOLUME 82 | ISSUE 10 | PAGE 747 Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs при продольном протекании тока Е. И. Лонская+, О. А. Рябушкин+* +Институт радиотехники и электроники РАН, 141190 Фрязино, Московская обл., Россия *Московский физико-технический институт (Государственный Университет) 141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия PACS: 73.40.Kp, 78.40.Fy, 78.66.Fd Abstract Исследовались спектры фотоотражения селективно-легированных гетероструктур GaAs/AlGaAs при пропускании постоянного электрического тока вдоль слоев структуры. Разработанная модель спектров позволила вычислить изменения внутренних поперечных электрических полей при протекании продольного тока. Экспериментально доказано, что даже слабый разогрев электронов в таких структурах приводит к пространственному перераспределению электронов в направлении, поперечном слоям гетероструктуры. Download PS file (GZipped, 480.3K)  |  Download PDF file (637.5K) Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь. List of articles citing this article can be found here.