Home For authors Submission status Current Archive (English) Archive    Volumes 61-80    Volumes 41-60    Volumes 21-40    Volumes 1-20    Volumes 81-88       Volume 88       Volume 87       Volume 86       Volume 85       Volume 84       Volume 83       Volume 82       Volume 81 Search

VOLUME 83 | ISSUE 3 | PAGE 152 Кулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точки А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Портал* Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Grenoble High Magnetic Fields Laboratory, MPI-FKF and CNRS, B.P.166, F-38042 Grenoble, France PACS: 72.20.Pa, 73.23.Hk, 73.63.Kv Abstract На основе двумерного электронного газа в ALGaAs/GaAs мембране, отделенной от подложки, создан одноэлектронный транзистор, работающий на эффекте кулоновской блокады - двухбарьерная структура с квантовой точкой. Отрыв образца от подложки, обладающей высокой диэлектрической проницаемостью, привел к резкому снижению полной емкости C квантовой точки и, как следствие, к высокой зарядовой энергии EC=e2/C и критической температуре K. Зависимость проводимости квантовой точки от тянущего и затворного напряжений имеет ромбовидную структуру, характерную для эффекта кулоновской блокады. Обнаружена термоэдс фононного увлечения в данной системе, которая имеет аномальную знакопеременную зависимость от затворного напряжения и интенсивности потока фононов. Предложены возможные механизмы, объясняющие указанные аномалии термоэдс. Download PS file (GZipped, 1074.8K)  |  Download PDF file (575.2K) Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь. List of articles citing this article can be found here.