Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 83 | ISSUE 4 | PAGE 173
Пикосекундная релаксация носителей в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe
А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев*, М. Байер*, А. Вааг+
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
*Experimentelle Physik II, University of Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany
+Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig Technical University, D-38106 Braunschweig, Germany


PACS: 73.21.-b, 78.66.Hf, 78.67.De
Abstract
На основании исследования быстрой кинетики люминесценции с высоким временным разрешением изучена релаксация фотовозбужденных носителей в процессе формирования пространственно разделенных слоев электронов и дырок в гетероструктурах 2- го типа ZnSe/BeTe. Измерены времена ухода дырок τ из слоя ZnSe в структурах с различной толщиной слоя ZnSe (τ = 2.5, 7.5 и 23 пс для толщин d = 10, 15 и 20 нм, соответственно). Показано, что увеличение времени τ может быть объяснено уменьшением скорости ухода фотовозбужденных дырок из нижнего надбарьерного уровня в слое ZnSe в слой BeTe с ростом толщины слоя ZnSe.


Download PS file (GZipped, 275.8K)  |  Download PDF file (368.6K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.