|
|
| VOLUME 83 | ISSUE 4 |
PAGE 173
|
| Пикосекундная релаксация носителей в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe
|
А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев*, М. Байер*, А. Вааг+
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
*Experimentelle Physik II, University of Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany
+Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig Technical University, D-38106 Braunschweig, Germany
|
PACS: 73.21.-b, 78.66.Hf, 78.67.De
|
Abstract
На основании исследования быстрой кинетики люминесценции
с высоким временным разрешением изучена релаксация фотовозбужденных
носителей в процессе формирования пространственно разделенных слоев
электронов и дырок в гетероструктурах 2- го типа ZnSe/BeTe. Измерены
времена ухода дырок τ из слоя ZnSe в структурах с различной
толщиной слоя ZnSe (τ = 2.5, 7.5 и 23 пс для толщин d = 10,
15 и 20 нм, соответственно). Показано, что увеличение времени τ
может быть объяснено уменьшением скорости ухода фотовозбужденных дырок
из нижнего надбарьерного уровня в слое ZnSe в слой BeTe с ростом
толщины слоя ZnSe.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 275.8K)
|
Download PDF file (368.6K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home