|
|
| VOLUME 83 | ISSUE 4 |
PAGE 189
|
| Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2- го типа
|
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
|
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
|
Abstract
В модели поля валентных сил с использованием межатомного потенциала Китинга рассчитаны механические напряжения в многослойной гетероструктуре Ge/Si(001) с вертикально совмещенными нанокластерами (квантовыми точками) Ge. Обнаружено, что неоднородное пространственное распределение упругих деформаций в такой среде приводит к появлению в напряженных слоях Si вблизи нанокластеров Ge трехмерной потенциальной ямы для электронов. Глубина потенциальной ямы достигает величины 100 мэВ, а ее пространственные размеры определяются диаметром нанокластеров Ge. Для структуры, состоящей из 4- х островков Ge диаметром 23 нм, расположенных один над другим, определены энергии связи электронов в этой яме и пространственное распределение плотности электронного заряда. Основное состояние имеет s- образную симметрию и характеризуется энергией связи электрона  и  мэВ для элементного состава Ge в нанокластерах c=1 и c=0.7, соответственно. Существование в зоне проводимости напряженного Si связанных электронных состояний должно приводить к ослаблению правил отбора, определяющих низкую эффективность излучательной рекомбинации в непрямозонных полупроводниках, и позволяет объяснить наблюдающееся на опыте высокое значение силы осциллятора для межзонных переходов в многослойных структурах Ge/Si(001) с вертикальной корреляцией расположения нанокластеров Ge.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 495.8K)
|
Download PDF file (491.7K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home