Home For authors Submission status Current Archive (English) Archive    Volumes 61-80    Volumes 41-60    Volumes 21-40    Volumes 1-20    Volumes 81-88       Volume 88       Volume 87       Volume 86       Volume 85       Volume 84       Volume 83       Volume 82       Volume 81 Search

VOLUME 83 | ISSUE 4 | PAGE 195 Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110) Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез Центр естественно-научных исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия PACS: 68.35.-p, 68.35.Bs, 68.65.+g Abstract Методом сканирующей туннельной микроскопии исследована атомная структура тонких слоев йодида меди (7-20 Å), формируемых на поверхности Cu(110) в результате химической реакции с молекулярным йодом в условиях сверхвысокого вакуума. Обнаружена сверхструктура с периодом 90-100 Å, состоящая из сдвоенных полос. Предложена структурная модель поверхности йодида меди, учитывающая сжатие решетки CuI и формирование сдвоенных линейных доменных стенок. Download PS file (GZipped, 3485.4K)  |  Download PDF file (623.5K) Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь. List of articles citing this article can be found here.