Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 83 | ISSUE 4 | PAGE 195
Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)
Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез
Центр естественно-научных исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия

PACS: 68.35.-p, 68.35.Bs, 68.65.+g
Abstract
Методом сканирующей туннельной микроскопии исследована атомная структура тонких слоев йодида меди (7-20 Å), формируемых на поверхности Cu(110) в результате химической реакции с молекулярным йодом в условиях сверхвысокого вакуума. Обнаружена сверхструктура с периодом 90-100 Å, состоящая из сдвоенных полос. Предложена структурная модель поверхности йодида меди, учитывающая сжатие решетки CuI и формирование сдвоенных линейных доменных стенок.


Download PS file (GZipped, 3485.4K)  |  Download PDF file (623.5K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.