|
|
| VOLUME 84 | ISSUE 3 |
PAGE 185
|
| Энергетическая релаксация горячих носителей в однослойных углеродных нанотрубках на поверхностных оптических фононах подложки
|
А. Г. Петров, С. В. Роткин+
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
+Department of Physics, Lehigh University, PA 18015, USA
|
PACS: 63.20.Kr, 81.05.Tp
|
Abstract
Предложен новый механизм энергетической релаксации
горячих носителей в однослойных углеродных нанотрубках: рассеяние
с испусканием поверхностных оптических фононов в
полупроводниковую подложку. Теория включает внутриподзонное и
межподзонное рассеяния вперед и назад. Аналитический результат и
численные данные показывают, что процесс внутриподзонного
рассеяния вперед является основным: соответствующее время жизни
составляет несколько фемтосекунд для кварцевой подложки и
позволяет считать этот механизм энергетической релаксации
доминирующим для нанотрубки на поверхности полярного
полупроводника или диэлектрика.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 138K)
|
Download PDF file (279.1K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home