Home
For authors
Editor's Page
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-88
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 84 | ISSUE 11 | PAGE 735
Пространственно неоднородные состояния носителей заряда в графене
Т. Я. Тудоровский, А. В. Чаплик
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия

PACS: 73.23.-b, 73.63.-b, 81.05.Uw
Abstract
Исследовано взаимодействие двумерных квазичастиц с линейной дисперсией E=\pm u|p| (графен) с примесными потенциалами. Показано, что в одномерой потенциальной яме (квантовая проволока) имеются дискретные уровни, отвечающие локализованным состояниям, тогда как в двумерной яме (квантовая точка) таких состояний нет. Найдено сечение рассеяния электронов (дырок) графена на аксиально симметричной потенциальной яме, и показано, что при неограниченном возрастании энергии частицы сечение стремится к постоянной. Выведен эффективный гамильтониан для искривленной квантовой проволоки графена.


Download PS file (GZipped, 148.6K)  |  Download PDF file (247.8K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.