Home For authors Submission status Current Archive (English) Archive    Volumes 61-80    Volumes 41-60    Volumes 21-40    Volumes 1-20    Volumes 81-88       Volume 88       Volume 87       Volume 86       Volume 85       Volume 84       Volume 83       Volume 82       Volume 81 Search

VOLUME 85 | ISSUE 3 | PAGE 197 Электронная структура α-Al2O3: ab initio моделирование и сравнение с экспериментом Т. В. Перевалов, А. В. Шапошников, В. А. Гриценко, Х. Вонг+, Ж. Х. Хан*, Ч. В. Ким* Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия +Electronic Engineering Department, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Hong Kong, Korea *Memory Division, Semiconductor Business, Samsung Electronics Co. Ltd, 449-711 San24, Nongseo-Dong, Kiheung-Gu, Yongin-City, Kyunggi-Do, Korea PACS: 71.20.Ps, 72.80.Sk, 75.15.Mb, 77.84.Bw Abstract Методом ALD получены пленки Al2O3 толщиной 150 Å на кремнии и изучены рентгеновские XPS и ультрафиолетовые UPS фотоэлектронные спектры валентной зоны. Неэмпирическим ab-initio методом функционала плотности рассчитана электронная зонная структура корунда α-Al2O3 и сопоставлена с результатами экспериментов. Валентная зона α -Al2O3 состоит из двух подзон, разделенных ионной щелью. Нижняя зона сформирована, в основном, 2s-состояниями кислорода. Верхняя зона сформирована 2p-состояниями кислорода с вкладом 3s-, 3p-состояний алюминия. Наблюдается сильная анизотропия эффективной массы для дырок - , . Значение эффективной массы электронов не зависит от направления . Download PS file (GZipped, 663.4K)  |  Download PDF file (557K) Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь. List of articles citing this article can be found here.