|
|
| VOLUME 85 | ISSUE 3 |
PAGE 202
|
| Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев p-GaAs/AlGaAs
|
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. C. Полоскин
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
|
PACS: 73.21.-b
|
Abstract
В сильно легированных, некомпенсированных слоях
квантовых ям p-GaAs/AlGaAs при низких температурах наблюдалась
активационная проводимость с малыми энергиями активации, которая
не объясняется известными механизмами
( -проводимость). Мы связываем такое поведение с
делокализацией электронных состояний в окрестности максимума узкой
примесной зоны в смысле перехода Андерсона. Проводимость при этом
осуществляется за счет активации неосновных носителей с уровня
Ферми в указанную зону делокализованных состояний.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 141.8K)
|
Download PDF file (240.9K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home