Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-88
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 85 | ISSUE 7 | PAGE 410
Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетероструктур
Т. М. Бурбаев, Е. А. Бобрик, В. А. Курбатов, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, Ф. Шэффлер*
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik, J. Kepler Universität Linz, A-4040 Linz, Austria

PACS: 73.20.Mf, 78.67.-n
Abstract
Обнаружена электронно-дырочная жидкость (ЭДЖ) в тонких напряженных \rm{SiGe}-слоях гетероструктур \rm{Si/Si_{1-\emph{x}}Ge_{\emph{x}}/Si}. Определены плотность и энергия связи ЭДЖ, которые из-за наличия внутренних напряжений в \rm{SiGe}-слое существенно меньше, чем у ЭДЖ в объемном монокристалле твердого раствора такого же состава. Из экспериментальных данных оценена критическая температура перехода экситонный газ - ЭДЖ. При температурах, превышающих критическую, и высоких уровнях возбуждения имеет место переход Мотта: экситонный газ - электронно-дырочная плазма.


Download PS file (GZipped, 280.4K)  |  Download PDF file (358.7K)

Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.