Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-88
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 79 | ISSUE 3 | PAGE 163
Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2\times4)/c(2\times8) под влиянием адсорбированного цезия
О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, А. С. Терехов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

PACS: 68.35.Bs, 73.40.-c, 81.15.Ef
Abstract
Экспериментально обнаружено уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100) под влиянием адсорбированного цезия, проявляющееся в разупорядочении As-стабилизированной поверхности и в снижении на \sim100 °С температуры перехода к Ga-стабилизированной поверхности (100)GaAs(4\times2)/c(8\times2). Эффект обусловлен перераспределением плотности валентных электронов между атомами мышьяка в верхнем слое и атомами галлия в нижележащем слое вследствие передачи заряда от электроположительного адсорбата в полупроводник. В сочетании с аналогичным эффектом уменьшения энергии связи атомов галлия на Ga-стабилизированной поверхности GaAs при адсорбции электроотрицательных адсорбатов (галогенов) обнаруженный эффект позволяет осуществить атомно-слоевое травление полярной грани GaAs(100).


Download PS file (GZipped, 125.5K)  |  Download PDF file (216.3K)