Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-88
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 86 | ISSUE 3 | PAGE 231
Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов
П. Г. Баранов, А. П. Бундакова, И. В. Боровых*, С. Б. Орлинский^{+\square 2)}, Р. Зондерван^{\square 2)}, Я. Шмидт ^{\square 2)}
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 С.Петербург, Россия
*Laboratory of Biophysics, Wageningen University, The Netherlands; Fachbereich Physik, Universitat Osnabrueck, Germany
+Казанский государственный университет, лаборатория МРС и КЭ, 420008 Казань, Россия
^{\square}Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University, Leiden, The Netherlands

PACS: 61.72.-y, 76.30.-v
Abstract
Наблюдались две противоположные схемы оптического выстраивания населенностей спиновых под-уровней в основном состоянии вакансии Si в SiC при облучении неполяризованным светом на частотах безфононных линий, зависящие от температуры, политипа кристалла и кристаллической позиции. Обнаружено гигантское, достигающее 2-3 раз, изменение интенсивности люминесценции безфононных линий в нулевом магнитном поле при поглощении радиочастного излучения с энергией, равной расщеплению тонкой структуры спиновых подуровней основного состояния вакансии, что открывает возможности для регистрации магнитного резонанса на одиночной вакансии.


Download PS file (GZipped, 463.5K)  |  Download PDF file (543.8K)

Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.