|
|
| VOLUME 86 | ISSUE 7 |
PAGE 549
|
| Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si
|
А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
|
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
|
Abstract
Методом спектроскопии комплексной проводимости (адмиттанса) исследована эмиссия дырок из связывающего состояния двухатомных искусственных молекул, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si(001). Обнаружено, что при толщине барьерного слоя Si между квантовыми точками Ge больше 2.5 нм энергия связи дырки в искусственной молекуле становится меньше энергии ионизации одиночной квантовой точки, что противоречит результатам квантовомеханической модели молекулярных связей и свидетельствует об определяющей роли механических напряжений в формировании связывающей орбитали в системе упруго напряженных квантовых точек.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 222.8K)
|
Download PDF file (316.8K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home