|
|
| VOLUME 86 | ISSUE 7 |
PAGE 553
|
Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)- |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
|
PACS: 64.60.-i, 68.35.Bs
|
Abstract
Гомоэпитаксия GaAs в молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности
(001)- рассматривается как двумерный фазовый
переход первого рода от решеточного газа адсорбированных ростовых
компонентов к двумерной
кристаллической фазе.
В рамках теории среднего поля фазового перехода определены
параметры латерального взаимодействия между заполненными ячейками
решеточного газа. Выявлены причины завершения роста полного
монослоя (самоупорядочения), прежде чем начнется рост нового
монослоя. Осцилляционные эксперименты подтверждают выводы
предлагаемой теории фазового перехода в гомоэпитаксии.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 142.5K)
|
Download PDF file (228.5K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home