|
|
| VOLUME 87 | ISSUE 5 |
PAGE 291
|
| Временная зависимость сигнала антипересечения уровней в экситонном излучении кристалла GaSe в условиях резонансного возбуждения |
А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
|
PACS: 71.35.Ji, 78.20.Ls, 78.47.Cd, 78.55.Hx
|
Abstract
На примере триплетных связанных экситонов в селениде галлия
исследована временная зависимость сигнала антипересечения
зеемановских подуровней экситонов в условиях резонансного возбуждения.
Обнаружено, что форма сигнала антипересечения меняется в течение времени
жизни возбужденного состояния, при этом временная зависимость сигнала
антипересечения при резонанасном возбуждении экситонных состояний существенно
отличается от соответствующей зависимости, наблюдаемой в условиях межзонного
возбуждения люминесценции. Предложено теоретическое описание наблюдаемых
эффектов.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 253.8K)
|
Download PDF file (320.1K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home