Home For authors Submission status Current Archive (English) Archive    Volumes 61-80    Volumes 41-60    Volumes 21-40    Volumes 1-20    Volumes 81-88       Volume 88       Volume 87       Volume 86       Volume 85       Volume 84       Volume 83       Volume 82       Volume 81 Search

VOLUME 87 | ISSUE 8 | PAGE 502 Индуцирование энергетической щели волны зарядовой плотности в NbSe3 сильным магнитным полем выше температуры пайерлсовского перехода А. П. Орлов*, Ю. И. Латышев*, Д. Виньоль+, П. Монсо° 2) *Институт радиотехники и электроники РАН, 125009 Москва, Россия +Laboratoire National des Champs Magnetiques Pulse, 31400 Toulouse, France °Neel Institute, CNRS, 38042 Grenoble, France PACS: 71.45.Lr, 71.70.Ej, 74.50.+r Abstract Методом межслоевой туннельной спектроскопии исследовано влияние магнитного поля на величину энергетической щели волны зарядовой плотности (ВЗП) в NbSe3 вблизи температуры нижнего пайерлсовского перехода Tp2. Показано, что магнитное поле увеличивает энергетическую щель и даже может ее индуцировать при температурах, на 15-20 К превышающих Tp2. При этом амплитуда пика щелевой особенности туннельного спектра сначала увеличивается с ростом поля, достигает максимума при 20-30 Тл, а затем уменьшается при дальнейшем росте поля. Эффект увеличения амплитуды щелевого пика связывается с улучшением условия нестинга ВЗП под действием поля, тогда как ее подавление в сильных полях - с разрушением основного состояния в результате его зеемановского расщепления. Download PS file (GZipped, 892.1K)  |  Download PDF file (1020.6K) Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь. List of articles citing this article can be found here.