Home For authors Submission status Current Archive (English) Archive    Volumes 61-80    Volumes 41-60    Volumes 21-40    Volumes 1-20    Volumes 81-88       Volume 88       Volume 87       Volume 86       Volume 85       Volume 84       Volume 83       Volume 82       Volume 81 Search

VOLUME 88 | ISSUE 11 | PAGE 877 Электронные переходы в монокристалле VBO3 при высоких давлениях А. Г. Гаврилюк+*, Н. В. Казак, С. Г. Овчинников, И. С. Любутин+ +Институт кристаллографии РАН, 119333 Москва, Россия *Институт физики высоких давлений РАН, 142190 Троицк, Россия Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отд. РАН, 660036 Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия PACS: 74.62.Fj, 75.50.-y, 78.70.En, 81.40.Rs Abstract Изучены спектры оптического поглощения в монокристаллах ферромагнитного полупроводника VBO3 при воздействии высоких давлений до 70 ГПа, создаваемых в камере с алмазными наковальнями. При давлении ГПа обнаружен электронный переход, сопровождающийся резким изменением оптических свойств и падением оптической щели от E0=3.02 до 2.25 эВ. В фазе высокого давления щель не обращается в нуль, а принимает значение, типичное для полупроводников, что свидетельствует о переходе типа полупроводник-полупроводник. Величина критического давления, при котором возможен переход в металлическое состояние, оценена равной ГПа. Download PS file (GZipped, 538.4K)  |  Download PDF file (329.6K) Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь. List of articles citing this article can be found here.