|
|
| VOLUME 89 | ISSUE 1 |
PAGE 38
|
| Влияние некогерентного рассеяния поляритонов на динамику стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния в GaAs микрорезонаторах |
А. А. Деменев, А. А. Щёкин, А. В. Ларионов, В. Д. Кулаковский
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
|
PACS: 73.21.La, 75.50.Pp, 78.47.+p
|
Abstract
Обнаружено сильное влияние межзонной подсветки на
динамику поляритон-поляритонного параметрического рассеяния в
плоских GaAs микрорезонаторах при резонансном фотовозбуждении выше
точки перегиба поляритонной дисперсионной кривой: подсветка с
плотностью мощности  %
от резонансной приводит к
понижению пороговой плотности для возникновения стимулированного
рассеяния, превышающему 15%.
Показано, что эффект связан с
изменением резонансной энергии накачиваемой моды в результате
увеличения концентрации долгоживущих экситоноподобных
поляритонов, образующихся в результате рассеяния резонансно
возбуждаемых поляритонов на фотовозбужденных свободных носителях.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 675.7K)
|
Download PDF file (393.9K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home