|
|
| VOLUME 89 | ISSUE 5 |
PAGE 274
|
| Особенности диэлектрической функции InN в области прямого оптического перехода
|
Л. А. Фальковский
Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, 119334 Москва, Россия Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, 142190 Троицк, Россия
|
PACS: 71.15.Mb, 71.20.Nr, 78.20.Ci
|
Abstract
Рассмотрена дисперсия диэлектрической проницаемости InN со структурой вюрцита в области частот вблизи фундаментальной энергетической щели с учетом влияния температуры и концентрации носителей. Линейность электронного спектра в широкой энергетической области приводит к логарифмической сингулярности у вещественной части диэлектрической функции, связанной с прямыми электронными переходами, и соответственно, к аномально большой величине диэлектрической постоянной. Мнимая часть выходит на плато выше порога поглощения. Рассчитанные без всяких подгоночных параметров значения хорошо согласуются с экспериментом и вычислениями из первых принципов.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 159.8K)
|
Download PDF file (311.2K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home