|
|
| VOLUME 89 | ISSUE 8 |
PAGE 483
|
| Экспериментальное обнаружение анизотропии фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (100) |
В. А. Володин
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
|
PACS: 63.20.Ls
|
Abstract
С применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света
(КРС) были исследованы легированные (n-типа) GaAs/AlAs сверхрешетки (СР) с
толщинами слоев GaAs от 1.7 до 6.8 Å, толщина слоев AlAs
составляла 13.6 Å. Применение микроприставки для исследования
КРС позволило наблюдать при обратном рассеянии моды с волновым вектором как
поперек слоев СР, так и вдоль слоев СР (при рассеянии с «торца" СР).
Экспериментально обнаружена предсказанная ранее теоретически анизотропия
смешанных фонон-плазмонных мод, обусловленная анизотропией эффективной массы
электронов в СР второго типа.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 140.9K)
|
Download PDF file (256.6K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home