Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 89 | ISSUE 9 | PAGE 560
Моделирование процесса образования вакансий при сканировании поверхности Cu(100)
С. В. Колесников, А. Л. Клавсюк, А. М. Салецкий
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия

PACS: 61.46.-w, 68.47.De
Abstract
Методом молекулярной динамики исследованы основные механизмы образования вакансий в первом слое поверхности Cu(100). Показано, что в результате взаимодействия иглы сканирующего туннельного микроскопа с поверхностью интенсивность образования поверхностных вакансий может увеличиться в 103-105 раз. Основываясь на проведенных исследованиях, мы предлагаем эффективный метод настройки концентрации вакансий в первом слое поверхности Cu(100), не связанный с изменением температуры системы.


Download PS file (GZipped, 621K)  |  Download PDF file (450.5K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.