|
|
| VOLUME 89 | ISSUE 9 |
PAGE 560
|
| Моделирование процесса образования вакансий при сканировании поверхности Cu(100) |
С. В. Колесников, А. Л. Клавсюк, А. М. Салецкий
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия
|
PACS: 61.46.-w, 68.47.De
|
Abstract
Методом молекулярной динамики исследованы основные механизмы
образования вакансий в первом слое поверхности Cu(100). Показано,
что в результате взаимодействия иглы сканирующего туннельного микроскопа с
поверхностью интенсивность образования поверхностных вакансий может
увеличиться в 103-105 раз. Основываясь на проведенных исследованиях,
мы предлагаем эффективный метод настройки концентрации вакансий в первом слое
поверхности Cu(100), не связанный с изменением температуры системы.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 621K)
|
Download PDF file (450.5K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home