|
|
| VOLUME 90 | ISSUE 8 |
PAGE 634
|
| Топологические связанные состояния |
А. А. Горбацевич, М. Н. Журавлев*
 Санкт-Петербургский физико-технологический НОЦ РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
*Московский государственный институт электронной техники, 124498 Москва, Россия
|
PACS: 71.23.An
|
Abstract
В приближении сильной связи показано, что в ветвящихся
молекулах и квантовых проводниках существует особый тип
электронных состояний, локализованных в окрестности точки
изменения топологии. Связанные состояния данного типа присутствуют
как снизу, так и сверху разрешенной зоны, то есть как для электронов,
так и для дырок, что принципиально отличает их от связанных
состояний, образующихся в минимуме потенциальной энергии.
Декремент затухания волновой функции не зависит от зонных
параметров и представляет собой инвариант, определяемый
характеристикой топологии. Туннельное взаимодействие
топологических связанных состояний существенным образом определяет
изменение электронного спектра молекулярных систем при
конфигурационных переходах.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 144.9K)
|
Download PDF file (195.2K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home