Home For authors Editor's Page Submission status Archive Archive (English) Current       Volume 95       Volume 94       Volume 93       Volume 92       Volume 91       Volume 90       Volume 89 Search

VOLUME 91 | ISSUE 1 | PAGE 37 Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb1-xSnxTe(In) в терагерцовой спектральной области А. В. Галеева, Л. И. Рябова, А. В. Никорич+, С. Д. Ганичев*, С. Н. Данилов*, В. В. Бельков, Д. Р. Хохлов Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия +Институт прикладной физики АН Молдовы, MD-2028 Кишинев, Молдова *Физический факультет Университета Регенсбурга, D-93040 Регенсбург, Германия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 194021 Санкт-Петербург, Россия Abstract Исследована спектральная зависимость сигнала фотопроводимости в легированном узкощелевом полупроводнике Pb0.75Sn0.25Te(In) при температурах 4.2-30 К при воздействии импульсов терагерцового лазерного излучения. Показано, что спектр фотопроводимости полупроводника простирается, по крайней мере, до длины волны 500 мкм. Эта величина более чем в два раза превышает длину волны красной границы фотоэффекта для наиболее длинноволновых из известных высокочувствительных фотонных приемников излучения на основе одноосно легированного Ge(Ga) - 220 мкм. Обсуждаются механизмы, ответственные за фоточувствительность PbSnTe(In) в терагерцовой спектральной области. Download PS file (GZipped, 103.6K)  |  Download PDF file (177.2K) Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь. List of articles citing this article can be found here.