|
|
| VOLUME 91 | ISSUE 2 |
PAGE 102
|
| Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Ю. Л. Иванов, М. С. Кипа
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 194021 Санкт-Петербург, Россия
|
Abstract
Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при
межзонном фотовозбуждении полупроводников (n-GaAs и p-Ge) при низких
температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными
переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на
ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в
результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний
квантовый выход излучения составляет до 0.1
|
|
|
Download PS file (GZipped, 113.4K)
|
Download PDF file (167K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home