|
|
| VOLUME 91 | ISSUE 10 |
PAGE 572
|
| Электрические свойства двухслойных гетероструктур в сильном магнитном поле
|
Н. Д. Гук, С. В. Иорданский
Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
|
Abstract
Рассмотрены электрические свойства двухслойных гетероструктур в
сильном магнитном поле при низких температурах. Показано, что при
параллельных электрических полях в каждом слое и омическая, и холловская
проводимости стремятся к нулю экспоненциально, что связано с образованием
нейтральных пар. При антипараллельном включении холловская проводимость
по-прежнему определяется энергией активации заряженных возбуждением
электронов с экспоненциальным падением, однако омическая проводимость падает
гораздо медленнее, пропорционально квадрату температуры.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 81.7K)
|
Download PDF file (186.5K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home