Home
For authors
Editor's Page
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-88
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 77 | ISSUE 5 | PAGE 288
Образование и кинетика роста аномального состояния кристалла 4Не ниже 0.45 К
В. Л. Цымбаленко
Российский научный центр «Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
Институт сверхпроводимости и физики твердого тела

PACS: 67.90.+z
Abstract
Определена диаграмма аномального состояния кристаллов 4He в интервале 0.2-0.45 К. Показано согласие с диаграммой «взрывоподобного" роста бездислокационной грани, что подтверждает ранее высказанное предположение об общности этих эффектов. Сформулированы требования к теоретической модели явления. Измерена зависимость скорости роста граней в аномальном состоянии до пересыщений \sim20 мбар. Обнаружено, что выше \sim8 мбар скорость роста выходит на константу \sim3.5 м/с.


Download PS file (GZipped, 121.7K)  |  Download PDF file (195.5K)