Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 96 | ISSUE 7 | PAGE 528
Эффекты электрон-электронного взаимодействия на поверхности трехмерных топологических изоляторов
И. А. Нечаев*+, Е. В. Чулков+×°
*Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
+Donostia International Physics Center, 20018 San Sebastián/Donostia, Basque Country, Spain
× Departamento de Física de Materiales UPV/EHU, Facultad de Ciencias Químicas, UPV/EHU, Apdo. 1072,
20080 San Sebastián/Donostia, Basque Country, Spain
° Centro de Física de Materiales CFM - MPC, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU,
20080 San Sebastián/Donostia, Basque Country, Spain

Abstract
В рамках GW-приближения показано, что за счет электрон-электронного взаимодействия в спектральной функции двумерной электронной системы, сформированной электронами на поверхности топологического изолятора, появляются плазменные сателлиты. Они возникают в результате резонансного плазмон-дырочного рассеяния. Учет вклада сателлитов при вычислении одноэлектронной плотности состояний приводит к смещению минимума плотности, сопоставляемого в эксперименте с точкой Дирака, вниз по энергии. Представлен метод рассмотрения влияния вершинных поправок на полученный спектр, позволяющий выходить за пределы GW-приближения путем суммирования лестничных диаграмм в разложении как поляризационной функции, так и собственной энергии. С помощью этого метода установлено, что учет многократного электрон-дырочного рассеяния не приводит к значимым изменениям в найденном спектре.




Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.