|
|
| VOLUME 78 | ISSUE 3 |
PAGE 184
|
| Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe - Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge
|
И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
|
PACS: 73.63.Kv
|
Abstract
Исследованы вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фото-ЭДС при T= 4.2 и 300 К в ненапряженных структурах с квантовыми точками (КТ) германия в системе - GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Al. Наблюдаемые при комнатной температуре без освещения особенности типа ``кулоновской лестницы" на вольт-амперной характеристике обусловлены кулоновским взаимодействием электронов при резонансном туннелировании через собственные уровни в КТ. Особенности в спектрах фото-ЭДС связываются с поглощением излучения в системе дискретных уровней КТ. На основе экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 160.2K)
|
Download PDF file (251.9K)
|
|
|
Home