|
|
| VOLUME 78 | ISSUE 7 |
PAGE 930
|
| Об устойчивости слабо заряженной поверхности жидкого гелия
|
В. Шикин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
|
PACS: 67.55.Ig
|
Abstract
Существующая трактовка развития неустойчивости слабо заряженной поверхности гелия нуждается в коррекции. Показано, что известный электростатически ``эквипотенциальный" сценарий Френкеля-Тонкса должен трансформироваться в более общую последовательность событий, сохраняющую смысл при стремлении 2D плотности зарядов к нулю. В этих условиях меняются приоритеты и становится предпочтительной зародышевая картина (с образованием отдельных многозарядных лунок) развития неустойчивости. Эксперимент качественно подтверждает предсказания теории.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 72.3K)
|
Download PDF file (159.5K)
|
|
|
Home