|
|
| VOLUME 75 | ISSUE 9 |
PAGE 584
|
| Самоформирование сеток квантовых нитей в пористых сверхрешетках InGaAs/GaAs |
Л. К. Орлов, Н. Л. Ивина
Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
|
PACS: 78.66.-w
|
Abstract
На базе многослойных гетероэпитаксиальных структур с двумерным
газом носителей заряда в слоях InGaAs путем самоформирования в процессе
электрохимического травления образцов реализованы структуры, содержащие сетки
одномерных квантовых нитей. Факт понижения размерности электронно-дырочной
подсистемы, связанный с трансформацией спектра энергии носителей заряда из
двумерного в квазиодномерный, продемонстрирован по сдвигу и сужению
резонансных линий в спектре фотолюминесценции.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 141.6K)
|
Download PDF file (211K)
|
|
|
Home