|
|
| VOLUME 76 | ISSUE 6 |
PAGE 420
|
| Проявление кулоновской щели в двумерных структурах p-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда
|
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. М. Устинов, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
|
PACS: 73.21.-b
|
Abstract
Изучались транспортные свойства многослойных структур
GaAs/AlGaAs модуляционно легированных Be таким образом, что в равновесии
дырками были заполнены состояния верхней зоны Хаббарда (A+- центры). При
концентрации легирующей примеси порядка 5•1011 см-2 в области
температур 0.4-4 К наблюдалась прыжковая проводимость по состояниям
кулоновской щели. Найденная из температурной зависимости проводимости
характерная температура (T1) оказывается заметно меньше предсказанной
теоретически (в 30 раз). Предполагается, что указанное расхождение связано с
влиянием коррелированных прыжков. В температурной зависимости
магнетосопротивления с уменьшением температуры наблюдалось подавление
отрицательного магнетосопротивления, что объясняется слабостью подбарьерного
рассеяния для транспорта по верхней зоне Хаббарда.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 216.4K)
|
Download PDF file (268.6K)
|
|
|
Home