|
|
| VOLUME 81 | ISSUE 3 |
PAGE 162
|
| Особенности магнитосопротивления квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности NbSe3 при различной ориентации магнитного поля
|
А. А. Синченко, Ю. И. Латышев+, П. Монсо*
Московский инженерно-физический институт, 115409 Москва, Россия
+Институт радиотехники и электроники РАН, 103907 Москва, Россия
*Centre de Recherches sur les tres Basses Temperatures, BP 166, 38042 Grenoble, France
|
PACS: 71.45.Lr, 73.40.Ns, 74.80 Fp
|
Abstract
Измерены полевые зависимости магнитосопротивления монокристаллов
NbSe3 при различной ориентации магнитного поля. Показана
возможность исследования поверхности Ферми по зависимости фазы
осцилляций Шубникова-де Гааза от угла поворота индукции магнитного
поля. Полученные данные указывают на преимущественную ориентацию
вдоль проводящих цепочек квазиимпульсов носителей,
неконденсированных в волну зарядовой плотности.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 203.7K)
|
Download PDF file (296.7K)
|
|
|
Home