Home For authors Editor's Page Submission status Current Archive (English) Archive    Volumes 81-88    Volumes 41-60    Volumes 21-40    Volumes 1-20    Volumes 61-80       Volume 80       Volume 79       Volume 78       Volume 77       Volume 76       Volume 75       Volume 74       Volume 73       Volume 72       Volume 71       Volume 70       Volume 69       Volume 68       Volume 67       Volume 66       Volume 65       Volume 64       Volume 63       Volume 62       Volume 61 Search

VOLUME 73 | ISSUE 10 | PAGE 643 Туннельная спектроскопия обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки в квантующем магнитном поле: переходы n-GaAs/Me А. Я. Шульман, +Институт радиотехники и электроники РАН, 101999 Москва, Россия *Grenoble High Magnetic Field Laboratory, CNRS, 38042 Grenoble Cedex 9, France International Lab. of High Magnetic Fields and Low Temp., 53421 Wroclaw, Poland PACS: 71.10.Ca, 71.15.Mb, 71.70.-d, 73.30.+y, 73.40.Gk Abstract Изменение с магнитным полем ширины пика аномального сопротивления в области аномалии при нулевом смещении для туннельных переходов n-GaAs/Me исследовано в диапазоне полей до 23 Тл при температурах 4.2 и 1.5 К. Полученные кривые не зависят от способа формирования поверхности полупроводниковой подложки (срез легированного монокристалла или эпитаксиально выращенный легированный слой), от сорта легирующей примеси (Te, Si) и металла (Au, Al). Сравнение с вычисленной зависимостью обменного потенциала от магнитного поля для электронов на нижайшем уровне Ландау поддерживает интерпретацию ширины пика аномального сопротивления как меры скачка обменно-корреляционного потенциала на поверхности вырожденного электронного газа. Эти результаты дают объяснение зависимости аномалии при нулевом смещении от магнитного поля и указывают на возможность прямых измерений обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки методом туннельной спектроскопии. Download PS file (GZipped, 182.3K)  |  Download PDF file (311.5K)