Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-88
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 82 | ISSUE 1 | PAGE 46
Атомная структура поверхности GaAs(001)-c(8\times2) и места адсорбции атомов йода при малой степени покрытия
А. А. Веденеев, К. Н. Ельцов
Центр естественно-научных исследований, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия

PACS: 07.79.Cz, 68.35.Bs, 68.47.Fg, 71.55.Eq
Abstract
Установлено соответствие наблюдаемых атомно-разрешенных СТМ-изображений и ζ -модели атомной структуры поверхности GaAs(001)-c(8\times2). Выяснено, что атомы йода при малой степени покрытия (θ <0.1) занимают места над вакансионными рядами между атомами мышьяка, расположенными в верхнем слое.


Download PS file (GZipped, 182.4K)  |  Download PDF file (276.5K)

Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.