Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-88
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 82 | ISSUE 3 | PAGE 149
Наблюдение квазидиффузионного распространения фононов в Mg2SiO4:Ho 3+ методом время-разрешенной фото-фононной спектроскопии
В. Н. Лисин, А. М. Шегеда, Е. В. Жариков+, Д. А. Лис+, К. А. Субботин+
Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН , 420029 Казань, Россия
+ Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия


PACS: 67.57.Lm, 76.60.-k
Abstract
С помощью сверхпроводникового болометра при температуре 2 К измерялся поток энергии фононов, созданных в результате безызлучательных переходов примесных ионов Ho3+ в форстерите из состояний терма 5F5, возбуждаемых лазерным импульсом. Исследовалась зависимость потока от длины волны лазера, времени после действия лазерного импульса и длины пути распространения фононов. Было обнаружено, что при возбуждении Ho3+ в некоторые состояния излученные фононы распространяются диффузионно в режиме спонтанного распада частоты (квазидиффузионный режим распространения): время прибытия фононного импульса почти линейно зависит от длины пути, но по величине превышает в несколько раз самое большое баллистическое пролетное время (для поперечных фононов). Из условия наилучшего согласия с экспериментом определены коэффициент диффузии и время безызлучательной релаксации.


Download PS file (GZipped, 440.1K)  |  Download PDF file (490.5K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.