|
|
| VOLUME 82 | ISSUE 4 |
PAGE 228
|
| Четность и резкое расширение резонансных уровней в трехбарьерных структурах
|
А. Б. Пашковский
Научно-производственное предприятие ``Исток", 141190 Фрязино, Московская обл., Россия
|
PACS: 73.40.-c
|
Abstract
Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами получены выражения для резонансной активной высокочастотной малосигнальной проводимости и ширин резонансных уровней. Обнаружено, что если четность уровней, образующих общий резонансный уровень, в каждой из двухбарьерных структур - разная, то при определенном выборе параметров трехбарьерной структуры ширина общего уровня, а соответственно и интегральная проводимость всей структуры могут возрастать во много раз. Соответственно во много раз уменьшается и время жизни электронов на этом уровне, а значит, легко могут быть реализованы условия когерентного транспорта - ухода электронов из структуры без столкновения с фононами.
|
|
|
Download PS file (GZipped, 78.8K)
|
Download PDF file (178.5K)
|
|
Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.
List of articles citing this article can be found here.
|
|
Home